Penderia tekanan semikonduktor boleh dibahagikan kepada dua kategori, satu adalah berdasarkan prinsip bahawa ciri-ciri I-υ bagi simpang PN semikonduktor (atau simpang schottky) berubah di bawah tekanan. Prestasi elemen sensitif tekanan ini sangat tidak stabil dan belum dibangunkan dengan banyak. Yang lain ialah sensor berdasarkan kesan piezoresistif semikonduktor, yang merupakan variasi utama sensor tekanan semikonduktor. Pada zaman awal, tolok terikan semikonduktor kebanyakannya dilekatkan pada unsur elastik untuk membuat pelbagai alat pengukur tekanan dan terikan. Pada tahun 1960-an, dengan perkembangan teknologi litar bersepadu semikonduktor, sensor tekanan semikonduktor dengan perintang resapan sebagai elemen piezoresistif muncul. Penderia tekanan jenis ini mempunyai struktur yang ringkas dan boleh dipercayai, tiada bahagian bergerak relatif, dan elemen sensitif tekanan dan elemen elastik penderia disepadukan, yang mengelakkan lag mekanikal dan rayapan serta meningkatkan prestasi penderia.

Kesan piezoresistif semikonduktor Semikonduktor mempunyai ciri yang berkaitan dengan daya luaran, iaitu, kerintangan (diwakili oleh simbol ρ) berubah dengan tegasan yang ditanggungnya, yang dipanggil kesan piezoresistif. Perubahan relatif kerintangan di bawah tindakan tegasan unit dipanggil pekali piezoresistif, yang dinyatakan oleh simbol π. Dinyatakan secara matematik sebagai ρ/ρ = π σ.

Di mana σ mewakili tegasan. Perubahan nilai rintangan (R/R) yang disebabkan oleh rintangan semikonduktor di bawah tegasan terutamanya ditentukan oleh perubahan kerintangan, jadi ungkapan kesan piezoresistif juga boleh ditulis sebagai R/R=πσ.

Di bawah tindakan daya luar, tegasan (σ) dan terikan (ε) tertentu dijana dalam hablur semikonduktor, dan hubungan antara mereka ditentukan oleh modulus Young (Y) bahan, iaitu, Y=σ/ε.

Jika kesan piezoresistif dinyatakan oleh terikan pada semikonduktor, ia adalah R/R=Gε.

G dipanggil faktor kepekaan sensor tekanan, yang mewakili perubahan relatif nilai rintangan di bawah terikan unit.

Pekali piezoresistif atau faktor sensitiviti ialah parameter fizikal asas kesan piezoresistif semikonduktor. Hubungan antara mereka, sama seperti hubungan antara tegasan dan terikan, ditentukan oleh modulus Muda bahan, iaitu, g = π y.

Kerana anisotropi kristal semikonduktor dalam keanjalan, modulus Young dan pekali piezoresistif berubah dengan orientasi kristal. Magnitud kesan piezoresistif semikonduktor juga berkait rapat dengan kerintangan semikonduktor. Semakin rendah kerintangan, semakin kecil faktor sensitiviti. Kesan piezoresistif rintangan resapan ditentukan oleh orientasi kristal dan kepekatan kekotoran rintangan resapan. Kepekatan kekotoran terutamanya merujuk kepada kepekatan kekotoran permukaan lapisan resapan.