Sensor tekanan semikonduktor boleh dibahagikan kepada dua kategori, satu adalah berdasarkan prinsip bahawa ciri-ciri I -υ semikonduktor PN Junction (atau Schottky Junction) berubah di bawah tekanan. Prestasi elemen sensitif tekanan ini sangat tidak stabil dan belum banyak dibangunkan. Yang lain adalah sensor berdasarkan kesan piezoresistif semikonduktor, yang merupakan pelbagai utama sensor tekanan semikonduktor. Pada masa -masa awal, alat pengukur terikan semikonduktor kebanyakannya dilampirkan kepada unsur -unsur elastik untuk membuat pelbagai tekanan dan instrumen pengukur terikan. Pada tahun 1960 -an, dengan perkembangan teknologi litar bersepadu semikonduktor, sensor tekanan semikonduktor dengan perintang penyebaran sebagai elemen piezoresistif muncul. Sensor tekanan semacam ini mempunyai struktur yang mudah dan boleh dipercayai, tiada bahagian bergerak relatif, dan elemen sensitif tekanan dan elemen elastik sensor disepadukan, yang menghindari lag mekanikal dan merayap dan meningkatkan prestasi sensor.

Kesan piezoresistif semikonduktor semikonduktor mempunyai ciri yang berkaitan dengan daya luaran, iaitu, resistivitas (diwakili oleh simbol ρ) perubahan dengan tekanan yang ditanggungnya, yang dipanggil kesan piezoresistif. Perubahan relatif ketahanan di bawah tindakan tegasan unit dipanggil pekali piezoresistif, yang dinyatakan oleh simbol π. Dinyatakan secara matematik sebagai ρ/ρ = π σ.

Di mana σ mewakili tekanan. Perubahan nilai rintangan (R/R) yang disebabkan oleh rintangan semikonduktor di bawah tekanan terutamanya ditentukan oleh perubahan ketahanan, jadi ekspresi kesan piezoresistif juga boleh ditulis sebagai R/R = πσ.

Di bawah tindakan daya luaran, tekanan tertentu (σ) dan ketegangan (ε) dihasilkan dalam kristal semikonduktor, dan hubungan di antara mereka ditentukan oleh modulus Young (y) bahan, iaitu, y = σ/ε.

Jika kesan piezoresistif dinyatakan oleh ketegangan pada semikonduktor, ia adalah r/r = gε.

G dipanggil faktor sensitiviti sensor tekanan, yang mewakili perubahan relatif nilai rintangan di bawah ketegangan unit.

Faktor pekali piezoresistif atau kepekaan adalah parameter fizikal asas piezoresistif semikonduktor. Hubungan di antara mereka, sama seperti hubungan antara tekanan dan ketegangan, ditentukan oleh modulus Young bahan, iaitu, g = π y.

Kerana anisotropi kristal semikonduktor dalam keanjalan, modulus Young dan perubahan pekali piezoresistif dengan orientasi kristal. Besarnya kesan piezoresistif semikonduktor juga berkait rapat dengan resistivitas semikonduktor. Semakin rendah ketahanan, semakin kecil faktor kepekaan. Kesan piezoresistif rintangan penyebaran ditentukan oleh orientasi kristal dan kepekatan kekotoran rintangan penyebaran. Kepekatan kekotoran terutamanya merujuk kepada kepekatan kekotoran permukaan lapisan penyebaran.